NT5AD512M16C4-JR vs NT5AD512M16B4-HR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5AD512M16C4-JR sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT5AD512M16B4-HR sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya
NT5AD512M16B4-HR ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5AD512M16C4-JR | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $73.75 | — |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisasyon | 512M x16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8Gb |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Rate ng Data | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Packhaging | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Volte ng Pagbibigay | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |