NT5CC256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DI Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DII sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT5CC256M16CP-DI sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | 4Gb |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Packhaging | TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) | VFBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (CL11) |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Internal Banks | — | 8 |
| Temperature na Operasyon | — | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes (programmable) |
| Process Technology | — | 70nm |