BAT46WJ-Q vs BAR46AFILM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BAT46WJ-Q tarafından Nexperia ve BAR46AFILM tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BAT46WJ-Q BAR46AFILM
Marka Nexperia STMicroelectronics
Kategori Diodes Diodes
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Device Type Planar Schottky barrier diode —
Reverse Voltage (VRRM) 100 V —
Average Forward Current (IF(AV)) 250 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 400 mW —
Maximum Reverse Current (IR) 4 uA —
Forward Voltage (VF) [DATA_NEEDED: forward voltage at specified test current] 450 mV
Junction Capacitance (Cj) [DATA_NEEDED: capacitance at specified bias] —
Guard Ring Integrated, for stress protection —
Qualification AEC-Q101 qualified —
Paket SOD323F (SC-90) SMD plastic TO-236-3 / SC-59 / SOT-23-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single diode —
Mounting Technology Surface-Mounted Device (SMD) —
Typical Use Polarity protection, re-circulating, switching diode —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Diode Configuration — 1 Pair Common Anode (Dual)
Diode Type — Schottky
Repetitive Reverse Voltage (VRRM) — 100 V
Forward Current (DC) — 150 mA
Maximum Operating Temperature — 150 C
Technology — Small Signal Schottky Barrier
Application — SLIC protection, telecommunications
Marking Code — A46
Packaging Type — Tape & Reel
Reverse Recovery — None (Schottky majority-carrier device)
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current IR]
Güç Tüketimi (Ptot) — [DATA_NEEDED: total power dissipation]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin