BSC014N04LSATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSATMA1 tarafından Infineon ve BSC014NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC014N04LSATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 96 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |