BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014NE2LSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014NE2LSIATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin