BSC018N04LSGATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC018N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC035N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC018N04LSGATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 125 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ TA=25°C | 2.5 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | 4.5 V, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| JEDEC Qualification | Yes (qualified per JEDEC for target applications) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |