BSC0901NSIATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0901NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0901NSIATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 25V N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 2.0 mOhm typical —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.2 V max —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge nC] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 69 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55 C to +150 C
Paket PG-TDSON-8-6 (5x6 mm with exposed pad) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin