BSC0906NSATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0906NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC0902NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0906NSATMA1 BSC0902NSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS —
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (Tj)
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant —
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin