BSP316PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSP316PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Paket | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction, typical) |
| Pin Sayısı | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | SIPMOS (planar DMOS) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |