BSS214NH6327XTSA1 vs BSS306NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS306NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS214NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) 2.3 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) MOSFET (Metal Oxide)
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS306NH6327XTSA1
Part Family — BSS306N (OptiMOS Small Signal)
RDS(on) max — [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max in V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C (TJ)
Lead Plating — Pb-free (RoHS compliant)
Configuration — Single N-Channel, 3-pin

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin