BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ130N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC059N04LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ130N03LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W —
Power Dissipation (Tc) 25 W —
Paket PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55 C to +150 C
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Technology — OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin