IAUC120N04S6L012ATMA1 vs IAUC28N08S5L230ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N04S6L012ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC28N08S5L230ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 - 80V 28A 23mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC28N08S5L230ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUC120N04S6L012ATMA1 | IAUC28N08S5L230ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 40V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 480 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | 1.2 mΩ (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 115 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Paket | PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm SSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Delivery Form | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS-5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 23 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>, typ) | — | 2.5 V |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>, typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>) | — | 38 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Technology | — | OptiMOS-5 Power MOSFET |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101) |