IAUZ30N10S5L240ATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ30N10S5L240ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N06S5L050ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 - 100V 30A 24mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ30N10S5L240ATMA1 ✓ AktifInfineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IAUZ30N10S5L240ATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 30 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 24 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Charge (Q_g) typ | 14 nC at V_GS=10V | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | 832 pF at V_DS=50V | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 45.5 W | — |
| Paket | PG-TSDSON-8-32 (8-PowerTDFN, exposed drain pad) | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (junction, automotive grade) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |