IPD135N03LGATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD135N03LGATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD135N03LGATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 30 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 31 W (Tc) | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Gate Charge (Qg) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| Output Charge (Qoss) | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes | — |
| Qualification | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Paket | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Technology | — | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |