IPD80R600P7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD80R600P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD80R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD80R600P7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |