IQD009N06NM5SCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD009N06NM5SCATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IQD009N06NM5SCATMA1 | ISC015N06NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 445 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Paket | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) | PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55 C to +175 C |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL classification] | — |
| Tape and Reel Packaging | Yes (suffix SCATMA1) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C | — | 259 A |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 1.5 mOhm |
| Total Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Total Power Dissipation (TC) | — | 188 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | 1 |