IRFR1205TRPBF vs IRF7319TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR1205TRPBF tarafından Infineon ve IRF7319TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR1205TRPBF IRF7319TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
Configuration — N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin