ISC015N04NM5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve BSZ110N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC015N04NM5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Paket / Kas | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Paket | — | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |