ISC045N03L5SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC045N03L5SATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
RoHS Durumu Compliant —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin