K4B4G1646D-BYH9 vs K4B4G1646D-BHMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BHMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BHMA
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Density 4 Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Veri Hızı 1333 Mbps 1866 Mbps
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
İşletim Sıcaklığı 0 ~ 85 °C -40°C to +95°C (TC)
Paket 96FBGA 96-ball FBGA
Number of Banks 8 —
CAS Gecikme Programmable 13 (at 1866 Mbps)
Write Latency Programmable —
On-Die Termination Yes —
Internal Calibration Yes —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Die Version D-die D-die
Bellek Türü — DDR3L SDRAM
Burst Length — 8 and 4
Number of Terminals — 96
Refresh Mode — Auto and Self Refresh

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin