K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646I-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646E-BYK000 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646I-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646I-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | 8 |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Paket | 96-FBGA (BYK) | FBGA-96 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 95°C (Tc) |
| Özellikler | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V |
| Veri Hızı | — | 1866 Mbps |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |