MT25QU02GCBB8E12-0AUT vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT25QU02GCBB8E12-0AUT tarafından Micron Technology ve MT25QU01GBBB8E12-0AUT tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT25QU02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 166MHz | Micron
MT25QU02GCBB8E12-0AUT ✓ AktifMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT25QU02GCBB8E12-0AUT | MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Serial (SPI / Dual SPI / Quad SPI) | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 2 Gbit (256 MB) | 1 Gbit (128 MB) |
| Organizasyon | 2G x 1 / 1G x 2 / 512M x 4 | x1 / x2 / x4 (I/O width) |
| Max Clock Frequency | 166 MHz | 133 MHz |
| Besleme Gerilimi | 1.8 V | 1.8 V |
| Access Time | 7 ns | 6 ns |
| Arayüz | SPI - Quad I/O | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Paket | 24-T-PBGA (6 x 8 mm) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q100 qualified |
| XIP (Execute-In-Place) | Yes | — |
| Write Protection | Software, hardware, power-on, write-enable latch | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Özellikler | Extended address access, advanced write protection | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FBGA Code | — | RW320 |
| Product Longevity Program | — | No |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |