BSC019N06NSATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC019N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC019N06NSATMA1 BSC050N04LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Technology — OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں