BSC033N08NS5SCATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC033N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 - 80V 95A 5.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC052N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC033N08NS5SCATMA1 BSC052N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (Tc) 144 A —
Power Dissipation (Tc) 136 W —
RDS(on) max @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Thermal Resistance RthJC 0.86 K/W —
پیکیج PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
Technology Trench (OptiMOS 5) OptiMOS 5
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1 (unlimited)
Part Number — BSC052N08NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.2 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5-3.0 V
Total Power Dissipation (Tc) — 83 W
Total Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں