BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC0902NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC047N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | Yes (100% avalanche tested) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55C to +150C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Qualification | — | JEDEC qualified for target applications |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free lead plating) |
| ہیلوجن فری | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |