BSC050NE2LSATMA1 vs IRLR7843TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC050NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور IRLR7843TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC050NE2LSATMA1 | IRLR7843TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | 39 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5 mOhm | — |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 28 W | — |
| Technology | OptiMOS 25V (trench) | HEXFET |
| پیکیج | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | TO-252AA (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55C to +175C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 161 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 4.5 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 34 nC |
| Gate-to-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Avalanche Energy (Eas) | — | Fully characterized |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free) |