BSZ024N04LS6ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ024N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6N031HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSZ024N04LS6ATMA1 | IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 6 (shielded-gate trench) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 130 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 2.4 mΩ | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at 4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 2.3 V (typical) | — |
| Total Gate Charge (Q_g) @ V_GS=10V | 25 nC | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 1.8 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 19 pF | — |
| Power Dissipation (P_D, Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 75 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-FL (3.3 mm x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount, top-side drain pad | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge) |
| Process Technology | — | OptiMOS 6 40V |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs) |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | — | 60 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 75 W |
| R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |