IAUCN04S7L050HATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L050HATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7L042GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 —
Configuration Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C 65 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.04 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 40 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 (family-level, automotive grade) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V Trench N-Channel MOSFET
Product Family — OptiMOS 7 40V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (Tj)
Polarity / Channel Type — N-Channel enhancement mode
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں