IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE022N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC015N06NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE022N06LM5CGSCATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (TC) 151 A —
Continuous Drain Current (TA) 24 A —
Maximum Power Dissipation (TC) 100 W —
Maximum Power Dissipation (TA) 2.5 W —
RDS(on) Maximum at VGS=10V 2.2 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
پیکیج PG-WHTFN-9 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +175 C
Technology Family OptiMOS 5 —
پن کی تعداد 9 (PG-WHTFN-9) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں