IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE036N08NM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE004NE1LM7CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQE004NE1LM7CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 | OptiMOS 7 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 15 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج / کیس | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | N-Channel Trench Power MOSFET |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | — |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 379 A |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 89 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.45 mOhm at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| پیکیج | — | PG-TTFN-9-3 (surface mount) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Packaging | — | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) |
| Polarization | — | N-Channel |