IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE065N10NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | OptiMOS 5 trench-gate |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 13 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Lead-Free | — | Yes |