IRFR1018ETRPBF vs BSC010NE2LSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR1018ETRPBF بذریعہ Infineon اور BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC010NE2LSIATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 - 25V 100A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC010NE2LSIATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR1018ETRPBF BSC010NE2LSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C -55C to +150C (TJ)
پیکیج TO-252AA (D-Pak) PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET OptiMOS (Trench)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series / Family — OptiMOS 25V
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
پن کی تعداد — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں