ISZ072N06NM6ATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE036N08NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ072N06NM6ATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | OptiMOS 6 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |