K4B4G1646D-BFMA vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BFMA بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BFMA | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.5V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 11 (at 1600 Mbps) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 95°C (Tcase) |