K4B4G1646D-BYK00 vs K4B4G1646D-BCK0 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BCK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BCK0
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1600 Mbps per pin
سپلائی وولٹیج 1.35 V (also operates at 1.5 V) —
پیکیج 96-ball TFBGA 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Number of Terminals 96 —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C 0°C to 95°C (Tc)
CAS لیٹنسی Programmable 11 (programmable)
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Number of Banks — 8
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Burst Length — 8, 4

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں