MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NDJR-UHC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16JY-075E بذریعہ Micron Technology اور H5AN8G6NDJR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT40A512M16JY-075E H5AN8G6NDJR-UHC
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
ڈیٹا ریٹ 2666 MT/s —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
انٹرفیس Parallel —
پیکیج 96-FBGA (8x14) FBGA-96 (13x7.5 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C (TC) —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
خصوصیات Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Density — 8 Gb
Speed Grade — 3200 Mbps (PC4-25600)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں