BSC050NE2LSATMA1 vs BSZ096N10LS5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC050NE2LSATMA1 bằng Infineon và BSZ096N10LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC050NE2LSATMA1 | BSZ096N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Ta=25C | 39 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 5 mOhm | — |
| R_DS(on) typical at V_GS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 28 W | — |
| Technology | OptiMOS 25V (trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Hộp | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | 20 V (typical) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | — | 40 A |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | — | 62 A |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | — | 160 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 9.6 mΩ at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | — | 69 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (low single-volt range) |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 40 A (TC=25 °C) |
| Diode Forward Voltage (VSD) | — | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| ESD Protection | — | Yes (gate-integrated) |
| Packaging Code | — | ATMA1 (tape and reel) |