BSS316NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSS316NH6327XTSA1 bằng Infineon và BSS214NH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 - 30V N-Ch 1.4A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSS316NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSS316NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Technology OptiMOS 2 (Trench) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ 2 V at ID=3.7 uA —
Total Gate Charge (Qg) 600 pC at VGS=5 V —
Input Capacitance (Ciss) 94 pF at VDS=15 V —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: output capacitance] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C 500 mW —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C —
Hộp PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
Cấp MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá