IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L033ATMA1 bằng Infineon và IAUC120N06S5L015ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 60 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | ±20 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ) | -55C to +175C (Tj) |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | — |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |