IPP100N12S305AKSA2 vs IPP147N12N3GXKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP100N12S305AKSA2 bằng Infineon và IPP147N12N3GXKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPP147N12N3GXKSA1 - 120V 56A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP147N12N3GXKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP100N12S305AKSA2 | IPP147N12N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Reverse Recovery Charge Qrr | [DATA_NEEDED: Qrr value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (TJ) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Hộp | PG-TO220-3-1 (Through Hole) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listing suffixes XKSA1) |
| Cấp MSL | N/A (Through Hole) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Technology | — | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 56 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 56 A (Ta, per DigiKey listing) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 107 W |
| Số lượng chân | — | 3 (3+Tab) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg value] |
| Rds(on) max | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max in mOhm at Vgs=10V] |
| Vgs(th) (Gate Threshold) | — | [DATA_NEEDED: typical gate threshold voltage] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: typical Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: typical Coss] |
| Reverse Recovery (trr) | — | [DATA_NEEDED: body-diode reverse recovery time] |
| Avalanche Energy Rating | — | Single-pulse avalanche rated |
| Lead-Free | — | Yes |
| Qualification | — | Automotive grade (per datasheet.live listing 'Automotive') |
| Packing Method | — | Tube |