IRF3205STRLPBF vs IRFB4020PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF3205STRLPBF bằng Infineon và IRFB4020PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF3205STRLPBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 110 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 390 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 8 mΩ max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 97.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 200 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Hộp | TO-263-3 (D2PAK) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (advanced process) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Packaging | Tape & Reel (STRL) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | 175 C (max) |
| Số chân | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |