IRFR5305TRPBF vs IPD042P03L3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR5305TRPBF bằng Infineon và IPD042P03L3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR5305TRPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | 290 mJ |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Cấp MSL | 1 | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |