K4B4G1646D-BCK0 vs K4B4G1646D-BCK00 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BCK0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BCK00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BCK0 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BCK0 K4B4G1646D-BCK00
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Number of Banks 8 8
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps per pin 1600 Mbps/pin
Clock Frequency 800 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Latency CAS 11 (programmable) 11 (at 1600 Mbps)
Burst Length 8, 4 8, 4 (with burst chop)
Hộp 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C (Tc) 0°C to 95°C (Tcase)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Đông trùng haogen Yes Yes
Speed Grade — DDR3-1600 (800 MHz)
Điện áp cung cấp — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage — 1.35V

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá