K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-GF70000 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-GF70T00 bằng Samsung Electro-Mechanics và K6X0808C1D-GF70000 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP

K6X0808C1D-GF70000 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70000
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Kích thước bộ nhớ 256 Kbit 256 Kbit
Tổ chức 32K x 8 32K x 8 bit
Access Time 70 ns 70 ns
Giao diện Parallel Parallel
Technology CMOS Low Power CMOS
Điện áp cung cấp 5 V —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp 28-SOP 28-SOP
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Supply Voltage - Min — 4.5 V
Supply Voltage - Max — 5.5 V
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Bề rộng đường dữ liệu — 8 bit (tri-state I/O)
Input/Output Levels — TTL compatible
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá