K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BYK0 比較
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 工作溫度 | -40°C to 95°C | 0°C to 85°C |
| 封裝 | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| 資料速率 | 1600 Mbps | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| 供應電壓 | — | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| CAS 延遲 | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| 腳位數 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |