M321R4GA3EB0-CWM vs M321R4GA0EB0-CWM 比較

詳細並排比較 M321R4GA3EB0-CWM 由 Samsung Electronics 與 M321R4GA0EB0-CWM 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ 啟用中
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規格比較

參數 M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA0EB0-CWM
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
Capacity 32 GB 32 GB
記憶體類型 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Form Factor 288-pin DIMM —
Module Type ECC Registered DIMM (RDIMM) 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM)
資料速率 5600 MT/s (PC5-44800) 5600 Mbps (DDR5-5600)
CAS 延遲 CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank Configuration 2Rx8 (Dual Rank) —
組織 4Gx72 —
DRAM Composition 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM —
ECC Yes (Registered with ECC) Yes (Registered ECC)
Configuration 1 x 32 GB —
Bandwidth Class PC5-44800 (44800 MB/s) PC5-44800
Application Segment Server / Datacenter —
品牌 Samsung Electronics —
GTIN / EAN 5715328154490 —
Rank x Organization — 1R x 4 (Single Rank)
Module Configuration — 4G x 72
DRAM Component Organization — 20 x FBGA 4G x 4
腳位數 — 288
Application — Server / Workstation
Product Status — Sample (per Elite Memory Solutions listing)
RoHS 狀態 — [DATA_NEEDED: RoHS status]
工作溫度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

資料表與資源

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