MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-15E:D 比較

詳細並排比較 MT41K256M16HA-125:E 由 Micron Technology 與 MT41K256M16RE-15E:D 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 啟用中
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MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

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規格比較

參數 MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-15E:D
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
組織 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS 延遲 13.75 ns 11 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
封裝 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (10x14 mm)
腳位數 96 96
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度範圍 0°C to +95°C (TC) —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
資料匯流排寬度 16 bits —
Logic Family CMOS —
記憶體容量 — 4Gb (256M x 16)
資料速率 — 667 MHz (DDR3L-1333)
Access Time — 13.5 ns
供應電壓 — 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V)
工作溫度 — -40°C to 95°C (TC)
介面 — Parallel
Burst Length — 8, 4

資料表與資源

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