MT41K256M16HA-125IT:E vs W634GU6RB12I 比較
詳細並排比較 MT41K256M16HA-125IT:E 由 Micron Technology 與 W634GU6RB12I 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | MT41K256M16HA-125IT:E | W634GU6RB12I |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Winbond |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 庫存狀態 | In Stock | — |
| 單價 (USD) | $4.50 | — |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Speed | 800 MHz | — |
| CAS 延遲 | 13.75 ns | 11 |
| 供應電壓 | 1.35 V | 1.35V |
| 封裝 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| 腳位數 | 96 | — |
| 介面 | Parallel | Parallel |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TCASE) |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic Family | CMOS | — |
| Lead Free | Yes | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| 資料速率 | DDR3L-1600 | 800 MHz (DDR3L-1600) |
| 記憶體容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 20 ns |
| 無鹵素 | — | Yes |
| Speed Grade | — | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) |
| Burst Length | — | 8 |