YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-075:E 比較

詳細並排比較 YZ48G08V-F9HPI-M 由 Loongtion 與 MT40A1G8SA-075:E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 啟用中
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ 啟用中

規格比較

參數 YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-075:E
品牌 Loongtion Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gb —
組織 1G x 8 —
資料速率 3200 MT/s 2666 MT/s
供應電壓 1.2 V —
工作溫度範圍 -40°C to +85°C 0°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
介面 Parallel Parallel
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
記憶體容量 — 8Gbit (1G x 8)
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
封裝 — 78-FBGA (7.5x11 mm)
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
CRC Function — Supported
Data Mask Function — Supported

資料表與資源

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