K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646E-BMK0 对比

详细并排对比 K4B4G1646D-BMK0 出自 Samsung Electronics 和 K4B4G1646E-BMK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 量产中
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K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung

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规格对比

参数 K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646E-BMK0
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.90 $6.50
Density 4 Gb 4 Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps
Voltage 1.35 V 1.35 V
工作温度 -40°C to 95°C -40°C to +95°C
封装 96FBGA (TFBGA) 96-FBGA
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes —
无卤 Yes —
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
数据速率 1600 Mbps 1600 Mbps
接口 — Parallel
Clock Frequency — 800 MHz
安装类型 — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes

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